| 专利名称 | 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法 | ||
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| 申请号/专利号 | CN202011527799.1 | 专利权人(第一权利人) | 东北电力大学 |
| 申请日 | 2020-12-22 | 授权日 | 2022-05-24 |
| 专利类别 | 授权发明 | 战略新兴产业分类 | 双五星 |
| 技术主题 | 薄膜|金属电极|电池|光化学|电子传输层|空穴传输层|物理学|薄膜太阳能电池|材料科学|导电 | ||
| 应用领域 | 最终产品制造|光伏发电|半导体器件 | ||
| 意向价格 | 具体面议 | ||
| 专利概述 | 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法,包括:前电极、顶电池、背电极,其特点是,前电极为透明导电玻璃层,顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成;还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池,中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成;底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层;背电极为金属电极层。其结构简单,成本低且性能稳定。 | ||
| 图片资料 |
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| 合作方式 | 拟许可 | ||
| 联系人 | 戚梅宇 | 联系电话 | 13074363281 |