专利名称 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法
申请号/专利号 CN202011527799.1 专利权人(第一权利人) 东北电力大学
申请日 2020-12-22 授权日 2022-05-24
专利类别 授权发明 战略新兴产业分类 双五星
技术主题 薄膜|金属电极|电池|光化学|电子传输层|空穴传输层|物理学|薄膜太阳能电池|材料科学|导电
应用领域 最终产品制造|光伏发电|半导体器件
意向价格 具体面议
专利概述 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法,包括:前电极、顶电池、背电极,其特点是,前电极为透明导电玻璃层,顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成;还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池,中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成;底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层;背电极为金属电极层。其结构简单,成本低且性能稳定。
图片资料 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法
合作方式 拟许可
联系人 戚梅宇 联系电话 13074363281