专利名称 一种红荧烯薄膜自组装有序图案化生长制备的方法
申请号/专利号 CN201510744112.2 专利权人(第一权利人) 长春工业大学
申请日 2015-11-06 授权日 2018-02-23
专利类别 授权发明 战略新兴产业分类 材料化工
技术主题 自组装|化学|大气层|传导渠道|半导体
应用领域 真空蒸发镀覆|溅射镀覆|离子注入镀覆
意向价格 具体面议
专利概述 本发明是一种红荧烯薄膜自组装有序图案化生长制备的方法,即在真空氛围中,在SiO2层之上沉积红荧烯层,通过沉积、停歇的多次循环,实现自组装排列的孔状图案化红荧烯薄膜,红荧烯聚集处为半导体的导电沟道部分,而红荧烯未聚集的孔洞处是不导电部分。从而实现免去光刻的自组装图案化生长,达到有序、可控图案化生长的目的。
图片资料 一种红荧烯薄膜自组装有序图案化生长制备的方法
合作方式 具体面议
联系人 戚梅宇 联系电话 13074363281