专利名称 一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法
申请号/专利号 CN201710231843.6 专利权人(第一权利人) 长春工业大学
申请日 2017-04-11 授权日 2019-02-05
专利类别 授权发明 战略新兴产业分类 材料化工
技术主题 Hummers法|溶剂|晶体生长|高压|结晶度|Cvd石墨烯|石墨烯量子点|化学活性|量子|材料科学|醇
应用领域 真空蒸发镀覆|溅射镀覆|纳米技术|离子注入镀覆
意向价格 具体面议
专利概述 本发明是一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法,利用石墨烯量子点表面效应的高化学活性横向诱导红荧烯晶体生长的方法。在SiO2衬底(3)制备石墨烯量子点(1)诱导层,红荧烯分子(2)在石墨烯量子点(1)诱导下沿石墨烯量子点(1)边缘生长。其中石墨烯量子点(1)采用溶剂热法将改进Hummers法制备的氧化石墨烯置于220ºC高温高压反应釜中进行切割,再将石墨烯量子(1)点溶于乙醇中旋涂于SiO2衬底上进行烘干,石墨烯量子点(1)呈点状分布,接着红荧烯分子(2)沿着石墨烯量子点(1)边缘横向生长,逐渐铺满整个衬底,形成有序、均匀的红荧烯薄膜。该方法利于实现红荧烯的结晶性生长形成高有序的薄膜。
图片资料 一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法
合作方式 具体面议
联系人 戚梅宇 联系电话 13074363281