可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定,因此能够更好地控制刻蚀形貌。可以刻蚀Si, SiO2, 金属薄膜等,氮气、氩气、 CHF3、SF6、 O2、 Cl2、 BCl3 。