用于直接观察导电、不导电样品的表面形貌。用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构。离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积。高质量定点TEM样品制备。同时配有纳米操作手、能谱仪，可以实现操纵和能谱分析。电子束成像分辨率0.8 nm，离子束成像分辨率4 nm，加工精度5 nm。
